Компания Samsung является видным игроком на рынке памяти, в том числе флеш-памяти. Подтверждая это, она создала новый тип памяти NAND, которая будет расходовать энергии на 96% меньше прежде созданных чипов. Поскольку памяти для центров обработки данных с искусственным интеллектом, смартфонов и других приложений требуется всё больше, энергопотребление значительно выросло. Новая технология поможет решить эту проблему.
Новая технология флеш-памяти NAND будет использовать сегнетоэлектрические транзисторы, которые и помогли побить ряд рекордов энергоэффективности. Статья «Сегнетоэлектрические транзисторы для маломощной флеш-памяти NAND» за авторством 34 исследователей была опубликована в академическом журнале Nature.
Исследования начались с оксидных полупроводников, которые не подходят для высокопроизводительных чипов из-за высокого порогового напряжения. Исследователи обнаружили в этом положительный момент, который может послужить катализатором снижения энергопотребления флеш-памяти NAND с увеличением количества слоёв и ёмкости.
При помощи блокировки токов ниже порогового напряжения можно контролировать ток утечки и повышать энергоэффективность. В NAND эта технология использует структуру ячеек, в которой хранящие данные ячейки соединены последовательно. С увеличением числа ячеек увеличивается и энергопотребление, в том числе потому, что ток утечки сохраняется даже после выключения переключателя ячейки. С увеличением высоты слоя увеличивается энергопотребление при операциях чтения и записи.
В статье не указывается, когда новая технология может быть запущена в промышленное производство.
